台积电全球首家推出0.1微米芯片制造工艺

　　【赛迪网讯】全球半导体代工业龙头——台积电于美圣荷塞举办的DesignCon 2002会议上宣称，它已成功产出首颗采用0.1微米制造工艺的芯片，预计将于今年第三季或第四季度初进入试产阶段。

　　业内分析师指出，台积电在0.1微米制造工艺技术方面的积极开发，将使其成为全球首家推出这一工艺技术的厂商，并超越了Intel、IBM Microelectronics等业内巨头。

　　据了解，台积电以0.1微米制造工艺成功开发出的芯片，晶体管channel length仅有0.065微米。

　　据台湾地区媒体报道：早在去年10月，台积电就曾提及，它将应用0.1微米制造工艺生产系统单芯片(SoC)及其他设计上较为复杂的产品。

　　台积电研究暨发展资深副总经理蒋尚义指出，0.1微米制造工艺生产线在2002年第四季度试生产的可能性较大。但分析师预测，台积电2003年上半年的量产计划尚无法导入0.1微米制造工艺技术。

　　蒋尚义表示，为降低风险，0.1微米制造工艺技术将直接用于公司的12英寸晶圆厂，而台积电计划于2002年底在新竹Fab 12厂进行0.1微米制造工艺试生产，如12英寸晶圆制造设备无法到位，那么就只能转移至8英寸厂进行试生产。

　　在设备方面，台积电计划采用ASML Twinscan 1100AT系列的193纳米微影设备，配合0.1微米制造工艺技术生产芯片。

　　蒋尚义表示，0.1微米工艺有光罩成本可能高达150万～200万美元，比0.13微米工艺所需光罩成本——65万美元高出不少。

　　分析师认为，如此高的光罩成本，将会使0.1微米制造工艺推广受阻。(Semi)(www.sina.com.cn)